解密N型TOPCon组件优异的抗PID机能

随着光伏技术的不休进取，，从P型硅片电池技术转向N型硅片电池技术已成为行业趋向。�！Ｈ欢�，，新技术的切换是否会对光伏组件的PID效应产生影响？？本文将从PID效应的产朝气理、、、N型电池组件受PID影响和对应系统的解决规划的变动三个方面进行探求。�！� PID效应的产朝气理 PID（Potential Induced Degradation）即电势诱导衰减，，是光伏组件中一种常见的失效景象。�！Ｔ谙质倒夥缯局�，，光伏组件通过串联提升组串系统电压，，以降低电能传输成本和输电损耗。�！Ｕ獾贾伦榧诘缏酚氪辰鹗舯呖蛑浯嬖诟叩缡撇�，，进而引发PID效应。�！� 由于从规范的角度，，传统铝合金边框组件必要安全接地，，因而组件边框对地电势梦想情况下为零电势，，而组串负极端则为负偏压，，且越靠近负极端，，组件内电池对地负偏压绝对值越大，，这就造成了组件内部电池与外部边框间存在由外指向内的电场。�！� 正是在这种电场力的作用下，，正电荷离子从电池/组件理论向电池内部PN结方向移动扩散，，并且会在高温、、、高湿情况下加剧这种传输移动，，导致组件功率衰减。�！Ｄ壳耙到缍訮ID效应的微观诠释机理可根基确定为以下三种：：： l）PID-Shunt（简称PID-s）：：：漏电阳离子流入电池片，，形成内部导电通道，，降低并联电阻；；； 2）PID-Polarization（简称PID-p）：：：界面极化效应，，导致电池片理论场钝化成效退化；；； 3）PID-Corrosion（简称PID-c）：：：电池的膜层界面在外电场下产生侵蚀。�！� 从BG大游官网内部钻研和参考文件综合来看，，目前双面PERC电池组件PID-s/PID-p/PID-c都已有发现，，而TOPCon的PID失效影响则重要起源于极化型PID-p，，PID-s和PID-c在TOPCon组件上还暂未发现。�！� N型电池受PID效应影响的变动要回覆N型电池PID效应是否存在变动？？能够从P型电池和N型电池的结构和现实户外利用结合来分析看一下。�！� 以目前主流的N型TOPCon电池工艺来看，，相比PERC电池，，重要变动点为：：： 1) 电池钝化工艺扭转，，部门背钝化变为超薄SiO2层和n+掺杂多晶硅层带来的界面和场钝化；；； 2) 电池片发射极区和基区结构正好相反，，电池正面电极变为正极（P型发射极）。�！� 参考本文第一部门，，目前TOPCon的PID失效机理重要是PID-p，，所以结合第一部门PID-p的失效机理来看，，重要是由于正电荷离子在由外指向内的电场力作用下，，荟萃在AlOx钝化层，，导致理论钝化成效退化。�！６诘缯鞠质低对斯讨�，，N型组件和P型组件一样，，依然会在组串负极端接受负偏压，，由于组件依然必要接地。�！Ｒ蚨�，，N型组件PID-p型衰减重要影响在于组件的正面。�！＃≒ERC电池的AlOx层位于电池背面，，TOPCon电池AlOx层位于电池正面）。�！� 综上，，我们能够得出，，相比PERC电池，，N型TOPCon电池的PID-p发朝气理现实并未产生变动，，只是重要影响地位产生了变动。�！� BG大游官网全系列182/182Plus/210 N型TOPCon组件，，通过选取优异钝化成效的自产电池和高体积电阻率封装胶膜，，使得组件PID测试了局与PERC电池组件维持统一水平：：： 综上所述：：： 正本P型组件使用的PID修复、、、PID防护系统解决规划，，依然合用于最新型的N型TOPCon组件，，例如逆变器直流侧负极接地、、、互换侧虚构接地；；；夜间施加反向电压等。�！� BG大游官网依附自身业内首家CNAS企业级光伏尝试室，，深度参加PID有关尺度的制订，，以期实现测试与现实户外使用的尽量一致性。�！＠缯攵訮ID-p光照复原景象，，我们发此刻现实电站利用中，，由于AlOx层由PERC电池的背面调换到TOPCon电池的正面，，更容易受到光照的影响，，因而N型TOPCon组件的抗PID-p衰减在现实运行中会更优（从现实的测试和IEC 61215-2021尺度规范中都发现了该景象，，当然厂家电池片质量、、、封装工艺的水平也起到了重要作用）。�！� 光伏知识小Tips：：： 为什么TOPCon组件的抗PID-p衰减在现实运行中会更优？？ BG大游官网技术人员基于现实内部测试，，发现了TOPCon组件在受到光照后PID衰减得到了急剧复原，，这也验证了有关文件中的报道，，从理论上目前钻研人员诠释如下：：：当受到光照（出格是紫外光）时，，电池减反射SiNx层的电导率增长，，导致SiNx & AlOx之间的电压差减小，，有利于正电荷Na+离子的耗散；；；同时高能光子还能够引发产生移动载流子，，载流子中和减反射/钝化层中累积的电荷，，从而有效降低 PID-p。�！� 因而，，TOPCon组件现实户外运行中抗PID-p 会更有优势，，别的TOPCon电池正面氧化工艺所形成的氧化硅/氮化硅减反射钝化层，，也起到了很好的招架电荷积累的作用。�！Ｕ庖参笮榧椒⒕嫉幕釶ID衰减预测和进一步优化组件封装工艺提供了参考。�！�